IT之家8月4日消息，铠侠株式会社今天宣布与闪迪（SNDK）公司共同推出下一代四层单元(QLC)3D闪存技术。新产品相比双方第八代技术，实现最高60%位密度提升(超37Gb/mm)。
据介绍，第十代QLC NAND闪存采用了双方自主研发的CMOS直接键合阵列(CBA)技术，可在不同的晶圆上制造CMOS逻辑电路、存储阵列，随后通过高精度晶圆对晶圆(IT之家注：Wafer-to-Wafer)技术进行键合。
相比第八代3D闪存，新一代产品进一步提升了读写带宽，成为业界首款接口速率达到4.8Gb/s的QLC3D NAND闪存技术。
此外，铠侠和闪迪（SNDK）的第十代QLC3D闪存采用332层NAND堆叠技术，并通过Toggle DDR6.0、独立命令地址协议(SCA)提升60%位密度。
