美东时间8月13日，美股存储板块全线冲高：闪迪（SNDK）大涨13.67%，西部数据（WDC）、SK海力士（SKHY）双双涨逾7%，美光科技（MU）涨逾4%。次日，A股存储芯片（886042）板块集体高开，长鑫科技（688825）收盘涨4.35%，全天成交199亿元。
2026年，存储芯片（886042）行业迎来一轮集中涨价行情，龙头公司业绩集体爆发。上海证券报记者调研发现，本轮景气周期（883436）并非全品类需求共振，AI算力持续虹吸先进产能，使得HBM高端存储供需持续紧张，行业结构性特征凸显。受访专家认为，伴随涨价节奏逐步趋缓，细分赛道分化行情或将持续演绎，由AI驱动的存储超级周期（883436）正迈入全新发展阶段。
涨价红利释放
行业龙头业绩持续兑现
尽管7月存储板块股价一度高位回落，但产业龙头企业最新财报显示，行业景气度依然高企。据铠侠披露，2026财年第一财季(4至6月)实现归母净利润8421.65亿日元(约合358亿元人民币)，同比增长4506.02%。三星电子亦公告称，今年第二季度合并营业利润为89.49万亿韩元(约合人民币4199亿元)，同比大幅增长1813.8%。
当地时间8月13日，闪迪（SNDK）在2026年投资者日上公布长期财务模型。公司预计，2028至2030财年营收将保持中高双位数增长，非GAAP口径下毛利率约80%，营业利润率约75%，调整后自由现金流利润率约50%。
拆解利润构成可知，龙头企业的亮眼业绩，核心来自产品售价上行。铠侠财报显示，其NAND平均售价环比上涨约70%。SK海力士（SKHY）则披露，第二季度DRAM平均售价环比上涨约30%，NAND平均售价环比上涨约55%。
据市场研究机构DRAMeXchange发布的最新数据，7月PC端主流DDR48Gb内存现货均价已达到24美元，较6月的21美元上涨14.3%，创下该机构自2016年6月开始统计该品类价格以来的历史峰值。
行业供需重塑
细分品类或走出差异化行情
价格上行背后，AI算力带动产能重新调配，正持续重塑行业供需格局。
当前，推动存储芯片（886042）持续涨价的核心引擎是全球AI大基建。美国银行（BAC）证券发布报告称，将2026年全球超大规模云计算（885362）企业资本支出预测上调至超过8000亿美元，同比增长67%，并预计2027年将进一步突破1万亿美元。
本轮涨价并非全品类需求共振，而是市场呈现结构性供需格局重构特征。据SEMI中国研判，2026年高带宽内存(HBM)市场规模预计增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成。即便海外三大原厂已将70%的新增/可调配产能向HBM倾斜，HBM产能缺口仍高达50%至60%。
天风证券（601162）研究所电子首席分析师李双亮认为，AI基础设施投资对消费电子（881124）供应链形成显著虹吸效应。行业龙头将先进制程产能优先投向盈利能力更强的HBM产品线，挤压消费电子（881124）所需的DRAM和NAND Flash产能，短期带动存储整体价格稳步上行。中长期看，随着AI高端赛道与传统消费（883434）赛道供需走势逐步脱钩，各类存储产品价格可能走出差异化行情。
高科技产业研究机构TrendForce集邦咨询预测，2026年第三季度，DRAM、NAND Flash合约价将继续环比上行，涨幅分别为13%至18%、10%至15%，相比一季度93%至98%的环比涨幅明显回落。
前海国际事务研究院副院长黄平称，DRAM、NAND Flash合约涨价节奏放缓背后，是市场由全面普涨转入结构性行情，AI算力相关高端存储需求将持续坚挺。后续随着HBM产能持续扩充，通用存储的定价逻辑或迎来阶段性调整。
锚定技术发展节奏
断言周期见顶为时尚早
存储超级周期（883436）还能走多远？多位受访专家认为，当前断言该周期（883436）见顶为时尚早。
国联民生（HK1456）研究所副总经理、海外研究首席分析师孔蓉对记者表示，不同于传统电子库存周期（883436），本轮存储上行周期（883436）完全由AI产业迭代驱动，行业拐点将直接锚定AI技术发展节奏：一旦全球AI产业迭代放缓、算力建设需求见顶，存储供需平衡将快速逆转，行业周期（883436）拐点同步到来。但从产业阶段判断，当前全球AI产业链整体仍处在发展初期、第一轮规模化落地阶段，算力、存储中长期增量需求有充足支撑，短期无需过度担忧。
黄平分析认为，未来两到三年，存储行业仍将处于景气上行区间，但节奏将逐步从量价齐升过渡到量稳价缓。具体而言：2026年至2027年上半年，量价齐升但涨价斜率将持续放缓；2027年下半年至2028年，供需边际将缓解、高端赛道持续紧缺；2029年及以后，随着大规模产能集中落地，供需紧张格局才会缓解。
值得注意的是，本轮周期（883436）不会上演全行业同步由紧转松、普涨普跌的行情。据李双亮判断，行业后续或将形成“HBM最为紧缺，服务器DRAM紧随其后，NAND率先分化”的格局。HBM技术壁垒突出，受制程、堆叠、先进封装（886009）等多重条件限制，供给难以快速释放；通用DRAM受产能向HBM倾斜挤压，叠加服务器需求回暖，供需持续偏紧；NAND赛道内部冷暖不一，受益AI数据中心建设的企业级SSD保持高景气，而手机、PC等消费（883434）端需求对价格敏感度更高，消费（883434）级存储景气水平或将率先走弱。
