8月24日，小金属（881170）板块盘初走强，金钼股份（601958）(601958.SH)涨停，盛龙股份（001257）(001257.SZ)、永杉锂业（603399）(603399.SH)、中矿资源（002738）(002738.SZ)、洛阳钼业（HK3993）(603993.SH)、华阳新材（600281）(600281.SH)、天工股份(920068.BJ)等跟涨。
消息面上，8月23日，半导体（881121）行业研究机构SemiAnalysis在X平台发布系列推文，阐述3D NAND闪存制造从钨(Tungsten，W)向钼(Molybdenum，Mo)转型的技术逻辑。
3D NAND大约十年前就停止了横向缩小，转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后，连接每个存储单元的钨字线(word lines)遭遇了物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺导致漏电，以及在超深孔中无法完成有效填充。
SemiAnalysis在推文表示：“钼不是一种优化，是300层以上NAND的必选项。”
与钨相比，钼具备三项关键优势：更低的电阻(带来更快的读写速度)、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中更好的填充能力。这三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露出的三个核心缺陷，使得材料替换具有技术必然性，而非可选的工程改进。
SemiAnalysis梳理了当前各大厂商的层数位置：铠侠/闪迪（SNDK）(SNDK.US)(Kioxia/SanDisk)处于218层，美光科技（MU）(MU.US)(Micron)276层，三星(Samsung)286层，SK海力士（SKHY）(SKHY.US)以321层处于行业前沿。
向3xx至4xx层的跃迁正在启动。SemiAnalysis估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。
