8月26日，东莞证券发布了一篇半导体（881121）行业的研究报告，报告指出，第三代半导体（885908）材料发展情况及东莞布局分析。
第三代半导体（885908）材料其核心特征是禁带宽度显著大于第一代硅和第二代砷化镓，使器件具备高频、高压、高温、低损耗的天然优势。SiC及GaN可突破传统硅基器件的物理性能极限，适合功率电子、射频及部分光电应用。SiC在高压、大功率场景更具优势；GaN在高频、高功率密度和小型化场景具有突出价值。
AI数据中心对宽禁带功率器件形成新需求。AI数据中心是SiC和GaN从“高端电源器件”升级为“算力基础设施关键器件”的重要场景。SiC在高功率PSU前端PFC和高压基础设施侧提升渗透；GaN在PSU隔离DC-DC与48V→12VIBC实现高频高密度转换。800VHVDC侧，SiC更靠近中压/SST及高压集中整流，GaN更靠近高压直流的机架侧降压与低压负载转换。
东莞在第三代半导体（885908）产业中的布局。东莞第三代半导体（885908）产业链呈现典型的“两头强、中间弱”哑铃型结构。上游(衬底外延)拥有天域半导体（HK2658）(SiC外延全国第一)、中镓半导体（881121）(GaN衬底)、中图科技（300777）(PSS全球32.82%)、中晶半导体（881121）(GaN衬底)等全国领先企业；下游(封测)拥有安世半导体（881121）(全球功率半导体（881121）前五，东莞30亿扩建)、利扬芯片（688135）(独立第三方测试龙头，2025年营收6.18亿)、气派科技（688216）(GaN封测技术领先，重点实验室4900万元)、译码半导体（881121）(晶圆磨切超100万片/年，良率99.95%)。但中游大规模SiC/GaN功率器件制造FAB厂明确缺失。
整体观点：第三代半导体（885908）已由“技术导入”走向“规模产业化与供给出清并行”的阶段。SiC主要受新能源汽车（885431）高压平台、光储充及高功率数据中心驱动，行业的关键变量是8英寸化、良率与成本；GaN则以快充和消费电子（881124）为基本盘，正向汽车、数据中心及射频基础设施扩展。
东莞已形成以松山湖为核心、材料与应用特色较为突出的半导体（881121）生态：SiC外延环节有天域半导体（HK2658），GaN衬底与外延方向有中镓/中图等企业，且配置了北京大学东莞光电研究院、东莞市集成电路创新中心等科研与公共服务平台。整体看，东莞依托松山湖与电子制造基础，已形成SiC外延、GaN衬底/器件、先进封测、车规应用布局。
