【概念细分】芯朋微（688508）(688508)新归类于第三代半导体（885908）-氮化镓(GaN)细分方向。
第三代半导体（885908）-氮化镓(GaN)细分方向指的是：氮化镓（GaN）是一种宽禁带第三代半导体（885908）材料，具有高击穿场强、高电子迁移率、高频率、高功率密度和低损耗等特点，可用于制造功率半导体（881121）、射频器件及光电子器件。产业链主要包括GaN衬底及外延、芯片设计与制造、功率器件、射频器件及相关模块，下游应用覆盖消费电子（881124）快充、数据中心电源、新能源汽车（885431）、5G（885556）/6G通信、卫星通信、雷达及光电子等领域。科技部将GaN与SiC并列为第三代半导体（885908）的核心代表材料。
根据芯朋微（688508）披露的业务情况，其符合第三代半导体（885908）-氮化镓(GaN)的归类标准，原因如下：
2024年4月23日互动易，公司在功率器件方面技术积累较为深厚，已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC 电源芯片；公司集成GaN产品已在充电应用上量产，智能GaN工业（600528）类应用已在推广中。
第三代半导体（885908）目前有碳化硅(SiC)等细分方向，点击进入概念细分界面查看更多。
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