IT之家8月27日消息，英特尔（INTC）首席财务官David Zinsner在德意志银行（DB）2026年技术大会上表示，即将推出的Intel14A制程工艺拥有自22nm节点以来最佳的“缺陷密度曲线”(defect density curve)。
22nm是英特尔（INTC）首个引入FinFET晶体管的工艺节点，以Ivy Bridge架构闻名。将14A与22nm对比，一定程度上也反映出英特尔（INTC）近年来在先进制程推进上的坎坷：14nm首发时表现不佳，10nm则遭遇严重挫折。但鉴于22nm节点初期同样问题不断——有英特尔（INTC）员工事后透露，首批Ivy Bridge芯片良率一度为0。
英特尔（INTC）已多次更新14A的时间规划。2026年5月，CEO陈立武给出的路线图是2028年风险试产、2029年量产。但在7月的财报会议上，时间表被提前一年：2027年下半年开启风险试产，2028年全面大规模量产。
陈立武强调，14A在缺陷密度和晶体管性能两项关键指标上均已超越18A同期表现。14A的0.5版本PDK(IT之家注：工艺设计套件)已向客户开放，0.9版本PDK预计于2026年10月发布。
在技术规格上，14A将采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、PowerDirect新一代背部供电技术，以及ASML High-NA EUV极紫外光刻设备。
在先进封装（886009）领域，英特尔（INTC）的EMIB-T技术预计2027年实现大规模量产。EMIB通过在有机基板中集成小型硅桥实现高密度互连。EMIB-T集成了硅通孔结构，使ASIC芯片可直接从基板获取电源，支持单一封装内数千瓦级功耗的高性能计算。
博通（AVGO）与Meta（META）等头部客户正在评估将部分原定采用台积电（TSM）CoWoS方案的项目迁移至EMIB平台。此外，英特尔（INTC）已为谷歌（GOOG）2027年AI芯片提供EMIB-T封装技术验证，良率达90%。据称EMIB-T相较CoWoS方案在封装环节的成本差距最高可达50%。
为支撑代工业（600528）务，英特尔（INTC）正加速推进工厂建设。亚利桑那州的Fab62和Fab52已准备就绪，即将开始设备安装。俄勒冈州的研发晶圆厂将负责14A工艺的试产及后续量产。此外，至关重要的俄亥俄州工厂一期项目正全力建设，预计将直接承担14A的量产任务。
英特尔（INTC）预计，14A和EMIB-T等先进技术将从2027年底开始为Intel Foundry打开市场，实质性的营收贡献将在2028年和2029年显现。
