8月31日，A股市场半导体（881121）股回升，其中，博通集成（603068）(603068.SH)10CM涨停，瑞芯微（603893）(603893.SH)此前涨停，炬芯科技（688049）(688049.SH)涨超9%，乐鑫科技（688018）(688018.SH)涨超7%，泰凌微（688591）(688591.SH)、晶晨股份（688099）(688099.SH)涨超6%，美芯晟(688458.SH)、复旦微电（688385）(688385.SH)、灿瑞科技（688061）(688061.SH)、敏芯股份（688286）(688286.SH)、全志科技（300458）(300458.SZ)、艾为电子（688798）(688798.SH)、国科微（300672）(300672.SZ)、峰昭科技涨超5%。
据韩国媒体报道，三星电子正配合英伟达（NVDA）(NVDA.US)要求开发8层第七代高带宽存储器(HBM4E)，较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达（NVDA）提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据报将用于NVHBM。
