9月8日，英特尔（INTC）(INTC.US)晶圆代工(Intel Foundry)与阿斯麦（ASML）(ASML.US)宣布，双方正持续推进高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术的量产应用。英特尔（INTC）目前已通过早期设备认证、研发及部分量产环节处理超过100万片晶圆，高NA EUV已用于英特尔（INTC）酷睿Ultra3系列处理器“Panther Lake”部分层的量产。
英特尔（INTC）表示，采用高NA EUV的英特尔（INTC）18A制程产品性能达到或超过使用传统0.33数值孔径EUV光刻平台的同类层。双方还将继续推动光罩从目前的6英寸向6×12英寸大尺寸光罩过渡，同时通过光罩拼接技术，让客户在现有6英寸光罩条件下获得高NA EUV的部分优势。
