高盛（GS）发布研报称，维持英诺赛科（HK2577）（02577.HK）“买入”评级，基于2030年预测折现EV/EBITDA估值，30.1倍目标估值倍数根据可比公司的交易EV/EBITDA倍数，相对于英诺赛科（HK2577）未来一年EBITDA同比增速及EBITDA利润率得出，12个月目标价为114港元，以9月8日收盘价43.20港元计，对应163.9%的上行空间。
该行在中国AI巡回路演期间于9月7日在苏州与英诺赛科（HK2577）管理层交流，重点讨论数据中心GaN采用及产品扩展、GaN晶圆/器件/模块业务模式，以及潜在竞争等。该行对英诺赛科（HK2577）覆盖15V至1200V的全面GaN产品组合及多元终端应用保持积极看法。
管理层指出，公司已加快GaN产能扩张，目标在未来几年将GaN产能提升至每月7万片晶圆，以把握汽车和数据中心应用不断增长的GaN需求，以及中长期机器人领域的GaN需求。管理层表示，目前GaN在数据中心的采用仍处于早期阶段，公司仍在探索业务模式，包括与功率器件供应商合作，或直接与云服务提供商(CSP（CSPI）（CSPI.US）)客户建立合作关系。
管理层表示，GaN产品主要用于800 VDC机架电源架构的三个阶段，包括800V至54V、54V至12V，以及12V/6V至1V，其中最后一级的低压产品具有更高的价值量。针对最后一级，公司已开发用于AI GPU从6V至1V供电的15V DrGaN产品，并已完成客户送样，可实现更高的开关频率、更高的转换效率，同时减少BOM元件（881270）数量。
该行看好英诺赛科（HK2577）作为早期入场者，凭借已积累的技术经验，在英伟达（NVDA）（NVDA.US）新架构开始放量爬坡时把握增长机会。
