作为国产内存龙头，长鑫科技（688825）9月20日在世界制造业大会上宣布重大突破，第五代DRAM技术平台(简称“G5平台”)实现量产，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，公司还同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。
产量提升至少50%
长鑫科技（688825）旗下子公司长鑫存储披露技术细节显示，G5平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。
在关键工艺方面，G5平台实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。在G5微缩工艺突破背景下，存储密度实现跨越式提升，即每片晶圆产出裸片(8Gb颗粒基准)数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。
有业内分析指出，单片晶圆的可用芯片直接决定单位成本。如果晶圆产出裸片数同比增长50%，理论上会带动单位制造成本的可观下降，但还需要进一步关注良率等情况。
长鑫科技（688825）作为国产DRAM龙头，技术路线上公司采取“跳代研发”的赶超策略，10年间完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产跨越，广泛应用于消费电子（881124）、服务器、汽车电子（885545）、工业控制等领域，本次宣布第五代技术平台实现量产，实现国产DRAM工艺重要突破。
“未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。”长鑫存储表示。
消费终端存储迈向高端化
本次大会公司同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子（881124）等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。8月，长鑫科技（688825）官宣LPDDR6实现量产。
基于新一代平台技术，长鑫存储已经在消费电子（881124）终端打破高端高速内存市场由海外原厂巨头把控的局面。
日前长鑫自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18Fold折叠旗舰手机，成为全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为16GB，最高传输速率可达12800Mbps，满足旗舰级智能手机及高性能终端设备对计算能力的需求。另外，长鑫存储发文近日称，“第二代豆包手机”努比亚NaviX Ultra搭载长鑫科技（688825）LPDDR5X内存，系国产高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。
据公司预测，当前高性能、低功耗内存需求持续增长。LPDDR6作为最新一代低功耗高速率产品，未来落地场景将涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴（885454）设备和机器人等领域。
把握结构性市场机遇
受益于存储超级周期（883436），全球DRAM产品供不应求，长鑫科技（688825）2026年上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长约8.7倍；实现归母净利润776.05亿元，同比大幅扭亏，主营业务毛利率大幅提升至84.84%。在中期业绩说明会上，公司高管预计下半年全球DRAM产品供给紧缺格局将延续。
放眼全球，随着存储巨头产能向HBM和服务器DDR5倾斜，通用存储产品线出现结构性空缺，甚至有机构预估DDR5等部分传统DRAM产品利润率反超HBM；而长鑫科技（688825）正好拿下这部分结构性市场机遇，在全球存储市场份额迅速攀升。
据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高。三星、SK海力士（SKHY）和美光位列前三，长鑫存储市场份额已逼近10%，排名第四，得益于手机端存储LP4X/5X价格涨幅领跑，公司DRAM销售收入环比增幅位列第一。
从市场预测来看，DRAM第三季度有望继续上涨，但涨幅有望收窄。据分析，由于存储原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限，加上非长协以外的价格上涨空间也正逐季缩小，预计三季度原厂DRAM平均销售单价环比继续上涨、增速趋缓，但DRAM销售收入将再创历史新高。
