2nm战局再添变量:Intel18A芯片亮相苏州,代工路线图如期推进

2026-09-23 19:18:53
来源:财闻
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财闻李向磊发自苏州

9月22日,2026英特尔(INTC)技术创新与产业生态大会在苏州召开。大会上,英特尔(INTC)(INTC.US)首席营销与传播官Annie Shea Weckesser表示,人工智能(885728)正在推动各类产品对更强计算能力和更高能效提出更大需求。

制程技术是满足人工智能(885728)发展需求的关键。在本次大会的科技与应用成果展区展出的Intel18A制程工艺晶圆目前已经进入量产阶段,其高性能版本18A-P也已进入风险试产阶段。

18A代表18埃米(注:1纳米等于10埃米,18埃米即1.8纳米),代表了英特尔(INTC)在先进制程领域的重大突破,正在为下一代英特尔(INTC)产品打造技术基础,并在代工领域与台积电(TSM)N2、三星SF2展开竞争。

在展区,英特尔(INTC)技术人员告诉财闻,18A有两项关键性创新:Ribbon(RBBN) FET全环绕栅极晶体管和Power Via背面供电技术。前者提供了短沟道效应的控制,支持晶体管在Fin FET之后的持续缩放,同时通过不同排线宽度和多种阈值电压选项实现灵活优化;后者将电源线移至晶圆背面,并在每个标准单元内嵌入纳米级硅通孔,提供功效、节约空间、改善信号完整性。

“对比Intel3芯片,18A同等功耗下性能提升18%以上,而同等性能下功耗降低38%。”展区技术人员进一步表示,18A-P作为18A首个性能增强版,在性能、功耗和设计方面均有所提升,比如热阻降低20%—40%,同时新增Power Boost技术,实现了更高的运行频率。

值得注意的是,英特尔(INTC)还为复杂先进工作负载打造了18A-PT,提供卓越的扩展性和集成能力。英特尔(INTC)还推出了专为3D封装产品优化的Intel18A-PT工艺,通过增强的硅通孔能力,帮助AI和HPC客户实现更高密度的堆叠集成。

另据英特尔(INTC)的规划,其下一代制程节点Intel14A预计将于2027年下半年面向内部进行风险试产。率先于内部产品进行风险试产,有助于英特尔(INTC)不断优化该工艺,从而为将来的代工客户提供更优质的服务。此前,英特尔(INTC)首席财务官David Zisner也曾表示,14A工艺的发展态势优于公司预设目标曲线,该工艺缺陷密度的下降速度优于近年其它节点,显示其进展颇为顺利。

据了解,在应用方面,英特尔(INTC)已与微软(MSFT)(MSFT.US)就18A制程展开合作,亚马逊(AMZN)(AMZN.US)AWS也将采用英特尔(INTC)生产AI芯片。此外,据传苹果(AAPL)(AAPL.US)也被报道与英特尔(INTC)达成初步代工协议,英伟达(NVDA)(NVDA.US)、博通(AVGO)(AVGO.US)、AMD等公司同样在测试或评估18A芯片。在台积电(TSM)先进产能持续吃紧的背景下,越来越多的芯片公司正在寻求供应链多元化,英特尔(INTC)如期推进制程路线图,实现性能和能效比的不断提升,或将让其代工业务迎来新的窗口期。

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