2026年9月28日，由北京华峰测控（688200）技术股份有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 038—2026《SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法》正式发布。
T/CASAS 038—2026《iC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法》描述了SiC MOSFET器件非钳位电感开关（UIS）的测试方法，包括单脉冲雪崩击穿能量（EAS）和重复雪崩击穿能量（EAR）的测试原理、测试条件、测试流程、数据记录和处理、测试报告等内容。适用于SiC MOSFET分立器件（884090）在CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、FT（Final Test）、实验室研发等阶段的UIS测试。对于SiC MOSFET功率模块，可在将单管封装成模块前参照本文件对单管进行测试。
【本文件主要起草单位】
北京华峰测控（688200）技术股份有限公司、东南大学、重庆大学、广东工业大学、浙江大学、芯迈半导体（881121）技术（杭州）股份有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、华润润安科技（重庆）有限公司、宁波达新半导体（881121）有限公司、杭州飞仕得科技股份有限公司、清纯半导体（881121）（宁波）有限公司、杭州士兰微（600460）电子股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、深圳平湖实验室、中国电力（HK2380）科学研究院有限公司、智新半导体（881121）有限公司、复旦大学宁波研究院、西安交通大学、华南理工大学、安徽长飞先进半导体（881121）股份有限公司、深圳麦科信科技有限公司、北京第三代半导体（885908）产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
周鹏、刘惠鹏、袁琰、魏家行、曾正、孙鹏、贺致远、任娜、孙钦华、张宇博、陈媛、潘效飞、张海涛、刘伟、史文华、郭水平、郭福安、江雪晨、王小明、张雷、王民、孙博韬、王来利、杨文、刘晓钰、魏金玲、高伟。
