9月28日晚间，长鑫科技（688825）(SH688825)公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目。同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM(动态随机存取存储器)存储芯片（886042）提供测试以及模组组装。上述两个项目投资总额分别为241亿元和108亿元，合计349亿元。
二级市场上，长鑫科技（688825）自2026年上市以来股价表现强劲，累计涨幅超过500%。9月29日，公司股价上涨3.25%，市值超过3.7万亿元，居于A股市值“一哥”位置。
新投项目
根据公告，技术研发项目由长鑫科技（688825）作为实施主体，实施地点位于安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内，项目总投资金额241亿元，其中拟使用超募资金投入金额130亿元，建设周期（883436）为30个月。从投资构成看，该项目设备购置费达223.98亿元，占投资总额的92.94%。公告指出，该项目主要用于技术研发，不单独进行投资回报测算，其最终产生的经济效益将通过技术赋能公司主营产品、促进主营业务增长表现出来。
存储器晶圆后道测试基地二期项目则由长鑫科技（688825）全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司实施，实施地点位于合肥市肥西县创新大道与皋城路交叉口西南侧，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片（886042）提供测试以及模组组装。该项目投资总额108亿元，其中公司通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金50亿元，建设周期（883436）为37个月。公告称，经测算，该项目内部收益率及总投资收益率均处于合理区间，经济效益良好。
公告显示，长鑫科技（688825）首次公开发行股票募集资金净额为663.10亿元，超募资金金额为368.10亿元，目前已使用金额为0元，募集资金到账时间为2026年7月22日。本次投资事项已于9月28日经公司第二届董事会第六次会议审议通过，中国国际金融股份有限公司、中信建投证券（HK6066）股份有限公司作为保荐机构出具了明确无异议的核查意见，该议案尚需提交公司股东会审议。本次投资不构成关联交易，亦不构成重大资产重组。
对于项目必要性，长鑫科技（688825）表示，面对复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续研发投入驱动工艺技术代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃；同时，随着产能提升和产品种类增多，外部封测厂测试产能可能不足，自建后道测试产能有利于保障供应链安全、降低测试成本，进一步完善IDM模式(垂直整合制造模式)。
扭亏为盈
长鑫科技（688825）是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
长鑫科技（688825）8月28日披露的2026年半年报显示，公司上半年实现营业收入1503.10亿元，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润为776.05亿元，上年同期为亏损23.32亿元，实现扭亏为盈；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为787.93亿元。经营活动产生的现金流量净额为1311.56亿元，同比增长2985.64%。基本每股收益为1.2893元，加权平均净资产收益率为81.06%。
对于业绩大幅增长的原因，长鑫科技（688825）在半年报中表示，主要得益于全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格呈现大幅上涨趋势，带动公司主要DRAM产品销售毛利大幅增长。据Omdia数据，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的7638亿美元，年均复合增长率达38.39%。
