本报讯(记者张文湘见习记者占健宇)10月30日，中微半导体设备（884229）(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司（688012）”)披露2026年三季度报告。前三季度，该公司实现营业收入103.26亿元，同比增长28.08%，营收规模首次在前三季度突破百亿元关口；归属于上市公司股东的净利润41.34亿元，同比增长241.31%。
公告显示，前三季度，中微公司（688012）研发投入32.22亿元，同比增长27.70%，占营业收入的比例为31.20%。目前，该公司同时推进六大类、二十余款新设备的研发，持续拓展半导体设备（884229）产品布局。
中微公司（688012）此前曾表示，该公司在开发新产品时，仅需针对性开发30%至40%特定的部分，剩余60%至70%的通用技术、结构组件均被模块化，达到成熟、可复用的状态。该公司表示，这一策略使新设备开发周期（883436）从传统的三至五年缩短至两年以内。
中微公司（688012）表示，随着半导体（881121）器件设计和整体设计走向3D立体结构化，多重曝光和堆叠技术快速发展，等离子体刻蚀机、化学薄膜设备、湿法设备和量检测设备的重要性日益凸显。
截至目前，中微公司（688012）已开发出54种高端半导体设备（884229），其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP(电容耦合等离子体)及低能等离子体ICP(电感耦合等离子体)刻蚀机；24种薄膜设备，涵盖MOCVD(金属有机化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、LPCVD(低压化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、EPI(外延生长)设备，以及CMP(化学机械抛光)和先进封装（886009）的光学量检测设备等。截至2026年9月底，中微公司（688012）已累计超过9300个反应台在国内外220余条生产线上实现量产。
报告期内，中微公司（688012）的核心设备产品线持续推进。刻蚀设备方面，该公司自主研发的CCP和ICP刻蚀设备已实现对95%以上应用需求的覆盖；薄膜沉积设备方面面向先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等十多款导体和介质薄膜设备已进入市场，EPI设备已进入客户端量产验证阶段。
在平台化能力建设方面，2026年上半年，该公司完成对中微众硅(杭州)电子科技有限公司(曾用名“杭州众硅”)的控股权收购，实现对化学机械抛光(CMP)设备的覆盖，完成从“干法”到“干法+湿法”整体解决方案的跨越，成为国内同时拥有刻蚀、薄膜沉积、CMP、量检测四大前道核心工艺设备能力的综合设备平台厂商。
产能建设方面，中微公司（688012）位于上海临港（600848）的总部大楼暨研发中心已于2026年8月份正式落成启用；广州华南总部研发及生产基地一期项目主体结构已于2026年7月份封顶，计划2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目主体结构已于2026年8月份封顶，预计2027年建成投产。该公司当前整体建筑面积达60万平方米，预计未来五年左右增至90万平方米，年生产能力将提升至700亿元以上。
