英伟达（NVDA）对先进存储产能的“物理性抽吸”，让存储芯片（886042）市场持续陷入供应短缺，也让存储公司赚得盆满钵满。不过，一向赌未来的资本市场正给出不同态度。
11月12日，兆易创新（HK3986）、东芯股份（688110）、君正股份（HK3223）、普冉股份（688766）等利基存储公司在A股集体走弱。美股方面，截至美东时间11月12日收盘，AI芯片龙头英伟达（NVDA）大跌4.34%，SK海力士（SKHY）当日亦跌超3%。
供需格局一直是触发存储产业及资本市场价格波动的原始锚点。近日，有投资机构在报告中指出，2028年多个旧存储品类将达到供需平衡。这背后，是英伟达（NVDA）以AI芯片为支点重塑整个存储行业产能分配秩序时，落在“缝隙”市场中的影子。
旧存储市场迎警告
如果说在AI浪潮里迎风而上的DDR5、HBM是存储市场里的大爆款，那么技术线更早的DDR3、DDR4、SLC/MLC NAND和NOR Flash所代表的旧存储，就是这个市场里的长尾产品。从市场角度看，这些产品还有另外一个名字，“利基存储”。
据《华夏时报》记者了解，主流存储拼的是容量、带宽和成本，下游客户主要是AI服务器、旗舰手机和PC，产品快速迭代，价格随行就市；而利基存储主要布局车规、工控、医疗等被存储大厂视为“缝隙”的成熟制程与小容量市场，重在稳定性。
智参智库特聘专家袁博告诉记者，旧存储主要占用的是成熟制程的产能，这些场景认证周期（883436）长、切换成本高、对长期供货的刚性要求远高于对价格的敏感度，因此当AI等先进制程的芯片占据了旧芯片产能时，旧存储芯片（886042）价格会自然上涨。他同时认为，随着AI相关存储需求激增、整个存储大盘扩容，旧存储目前已不足大盘的一成。
但在一片大好形势中，这个小而稳的市场率先收到了来自华尔街的警告。上述投资机构报告显示，由于云端资本支出不确定性上升，消费（883434）端需求疲软，旧存储供需预计在2028年前后趋于平衡，行业盈利逻辑从“向上弹性”转向“向下防御”，估值锚从盈利高峰切换至1.0倍市净率。
据记者了解，1.0倍市净率多是地产、电力以及晶圆代工等重资产强周期（883436）行业的估值锚。目前国内A股的利基存储公司多为兆易创新（HK3986）、君正股份（HK3223）等芯片设计公司，而华邦电子、旺宏电子、南亚科技等中国台湾地区的利基存储厂商则多采用IDM(垂直整合制造)模式。
上述投资机构认为，旧存储将在2028年达到供需平衡。其预计届时SLC NAND和MLC NAND将分别约有3%和5%的缺口，NOR Flash约缺口1%，而DDR4还可能出现约1%的供给过剩。触发其预期转变的变量，是美国中期选举后约5吉瓦的数据中心建设从2028年推迟至2029年，2028年美国新增数据中心容量同比下降约4%，需求递延，但供给仍在爬坡。
业绩还在山顶
11月12日的股价回调，发生在利基存储公司业绩仍然极其强劲的时点上。
以国内A股的利基存储龙头公司为例，兆易创新（HK3986）今年前三季度营收202.97亿元，同比增长197.11%，归母净利润110.66亿元，同比更是大增921.55%；君正股份（HK3223）前三季度存储芯片（886042）收入49.16亿元，约占整体收入的七成，同比增长130.73%，毛利率约为56.5%。
但进入Q3，它们的环比增速都出现放慢信号。
财报显示，兆易创新（HK3986）今年Q3营收87.32亿元，为三个季度中的单季最高，但18.4%的环比增速约为Q2环比增速的四分之一；42.09亿元的归母净利润则环比下降22%，而Q2这项指标环比增长近270%。
君正股份（HK3223）今年Q3收入31.45亿元，环比增长31.2%，约为Q2环比增速的六成；14.19亿元的归母净利润环比增长61.5%，略超Q2环比增速的三分之一。
有半导体（881121）行业业内人士在与《华夏时报》记者交流时认为，Q1和Q4通常是利基存储的行业淡季，而今年Q2利基存储涨价幅度之所以陡然拉升，关键在于供给端的产能出清与需求端的集中“恐慌性备货”；Q3价格仍在上涨，但涨势放慢，除了需求被提前透支外，买方的成本承受力也在恶化。
从上述两家公司近期在投资者交流活动中的发言来看，利基存储市场的供应短缺与价格上涨仍在持续。
兆易创新（HK3986）在11月3日的投资者活动中表示，受益于AI快速发展带动存储芯片（886042）需求高增及相关外溢效应，以及行业主要厂商产能收缩转移(退出利基市场)，利基型存储整体仍将处于供应紧张的局面。
其还表示，SLC NAND Flash产品因产能释放周期（883436）较长，供应短缺格局预计仍将在较长一段时间内持续；利基型DRAM供需态势虽有缓和但仍短缺，整体产能供给仍然有限，预计价格仍将在高位维持一段时间。
君正股份（HK3223）则在11月10日的投资者交流会中表示，DRAM产品明年产能仍然较为紧张，销量能否增长、增长多少存在不确定性，公司将积极争取产能。其同时表示，今年DDR4和LPDDR4的占比提升最为明显，前三季度在DRAM产品中保持40%以上的收入占比，但由于产能非常紧张，收入占比的提升一定程度上受到产能的限制。
产能是最大变量
利基存储当前的紧缺，与消费电子（881124）领域感受到的主流DRAM供给短缺是同一个原因。
英伟达（NVDA）掀起的虹吸效应，已让存储三巨头将产能配置从“按需求分配”切换成“按利润分配”。有业内人士告诉记者，三星、SK海力士（SKHY）、美光已将七至九成先进制程产能转向HBM、服务器DDR5和企业级SSD，旧存储产线被系统性关停。
公开资料显示，SK海力士（SKHY）2025年10月就停止了DDR4接单，2026年4月完成最终出货；三星也有意在今年年底结束DDR4业务；美光则将其DDR4收缩至车规、工业等领域。在SLC/MLC NAND领域，产能减少得更多：三星自2025年起逐步关停2D NAND产线，并于2026年年中停止SLC出货；铠侠也在今年3月官宣退出2D NAND，最终出货延续至2028年底。
存储巨头留下的产能缺口，主要由中国大陆厂商以及南亚科技、华邦电子等中国台湾地区厂商承接。
兆易创新（HK3986）在今年4月底的调研活动中披露，其NOR Flash业务目前全球排名第二、中国大陆第一，2025年全球市占率约19.4%，公司目标是进一步提升市场份额至25%甚至30%。君正股份（HK3223）也在今年11月的投资者关系活动中提及，其新制程DDR4/LPDDR4已规模销售，前三季度占其DRAM收入40%以上。
更大的产能空缺预计将出现在SLC/MLC NAND领域。国盛证券（002670）今年7月研报显示，已官宣退出意愿的美光和铠侠，在2025年全球SLC NAND市场里分别以21%和20%的份额排名前两位，兆易创新（HK3986）和东芯股份（688110）当时则以9%和6%的份额分列第六、第七位。
对于中国大陆的利基存储厂商来说，如何获取足够的产能是现在的头等大事。即便是在被大摩认为2028年可能出现约1%供给过剩的DDR4领域，也同样需要靠提价和长协来锁定产能。
一个明显的例子是，今年9月兆易创新（HK3986）宣布，因DRAM产品代工价格随市场行情上涨，其将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度从57.11亿元上调至78.54亿元；同时预计2027年1至4月与长鑫集团的日常关联交易额度为44.11亿元。
袁博对《华夏时报》记者表示，目前市场给出的旧存储缺口所占的份额其实不大，实际上不会影响供给，实际影响供给的是产能的释放。"是否达到平衡，取决于三星、美光等存储企业在HBM等新存储芯片（886042）利润回落时，是否愿意把产能弹性释放给旧存储。因此，2028年利基存储的供给的确有可能达到平衡，但主要还是看AI建设预期下滑所导致的新存储芯片（886042）的产能释放情况。"
这个道理，对于英伟达（NVDA）领衔的AI通用芯片市场同样适用。
