刚刚,集体飙涨!芯片,利好突袭!韩国股市大反攻

2026-06-24 09:00:07
来源:券商中国
作者:周乐
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问财摘要

1、韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士股价大幅上涨,其中三星电子一度暴涨超10%。此外,华尔街机构看好半导体行业前景,美国银行上调了包括英特尔、美光科技在内的多家半导体巨头的目标股价,并将半导体市场的总潜在规模预期上调至2.7万亿美元。 2、然而,美股芯片全线重挫,费城半导体指数大跌超7%。 3、SK海力士放缓HBM4扩产的核心逻辑,在于对利润率的主动管理。 4、美国银行在最新发布的报告中表示,大幅上调包括英特尔、美光科技等在内的多家半导体公司的目标股价,并将半导体市场的总潜在规模(TAM)预期从此前的2.3万亿美元大幅上调至2.7万亿美元。
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韩国芯片巨头暴力反攻!

今日早间,韩国股市开盘后,存储芯片(886042)巨头三星电子大幅拉升,一度暴涨超10%,SK海力士亦大幅走强,大涨超5%。消息面上,此前有报道称三星电子可能宣布90万亿韩元的股份回购。

与此同时,多家华尔街机构看好半导体(881121)行业前景,美国银行(BAC)在最新发布的报告中表示,大幅上调包括英特尔(INTC)美光科技(MU)在内的多家半导体(881121)巨头的目标股价,理由是AI(人工智能(885728))相关支出的可见性已清晰延伸至2028年。美银还将半导体(881121)市场的总潜在规模(TAM)预期从此前的2.3万亿美元大幅上调至2.7万亿美元。

芯片巨头飙涨

北京时间6月24日早间,韩国股市开盘后,SK海力士、三星电子股价集体走强,截至08:30,涨幅分别为5.09%、9.19%。受此推动,韩国kospi(KS11)指数大涨4.02%。日本股市亦小幅反弹,日经225(N225)指数涨0.14%。

然而隔夜美股芯片全线重挫,费城半导体(SOX)指数大跌超7%,成分股悉数收跌,美光科技(MU)暴跌超13%,安森美半导体(ON)暴跌超11%,Arm大跌超10%,应用材料(AMAT)德州仪器(TXN)高通(QCOM)大跌超8%,阿斯麦(ASML)ADR、恩智浦(NXPI)大跌超7%,台积电(TSM)ADR、英特尔(INTC)大跌超6%。

消息面上,据《韩国经济日报》报道,SK海力士周三或就其计划的美国存托凭证(ADR)上市向韩国金融监督院提交证券注册声明。SK海力士预计金融监督院最早将于7月3日完成文件审核;其ADR预计可能在7月完成上市。

另据韩国媒体最新报道,三星电子正在HBM4赛道上全力提速。据韩联社报道,三星电子HBM4营收已超过10亿美元,成为业内首个在量产后四个月内达到这一里程碑的公司,按6月底预测,这一数字有望进一步突破12亿美元。

TrendForce指出,三星电子在HBM4上的技术优势来自于底层芯片采用4nm FinFET制程节点,其认证时间线领先于竞争对手。受益于此,三星电子全年HBM4出货量预测已从3500亿Gb小幅上调至4000亿Gb。

报道称,相比之下,SK海力士则在放缓HBM4产能爬坡节奏,并削减部分原定从HBM3E升级至HBM4的产线转换计划。该公司认为,在HBM市场已占据强势地位的情况下,没有必要激进押注下一代产品扩产。

SK海力士放缓HBM4扩产的核心逻辑,在于对利润率的主动管理。据韩媒Chosun.biz报道,HBM业务目前已占该公司总营收逾40%,在现有市场地位稳固的前提下,继续大规模投入HBM4扩产的边际收益有限。

普通DRAM市场的盈利前景正变得愈发吸引人。分析师预计,DRAM运营利润率有望在年内接近90%的理论峰值。SK海力士第一季度DRAM平均售价已环比上涨约60%,公司表示,将重点聚焦高密度服务器模组及移动端需求。此外,该公司与微软(MSFT)签订的三年期DDR5供应协议,也被市场普遍视为强化了其在普通DRAM领域的长期盈利能见度。

在产能规划层面,据TrendForce,SK海力士HBM4大规模量产时间节点已推迟,有效放量预计将延至2026年第三季度。受此影响,其全年HBM4出货量预测从4500亿Gb下调至4000亿Gb。

美银:大幅上调

美国银行(BAC)在最新发布的报告中表示,大幅上调包括英特尔(INTC)美光科技(MU)等在内的多家半导体(881121)公司的目标股价,理由是人工智能(885728)相关支出的可见性已清晰延伸至2028年。

在报告中,美银还对晶圆制造设备(WFE)的支出预测做出了显著上调,将2029年、2030年的WFE预测分别上调至2680亿美元(+7%)、2920亿美元(+9%)。

美银在报告中给出了以下三大理由:

1.洁净室可用性提高。随着全球晶圆厂建设逐步推进,此前制约产能扩张的洁净室瓶颈正在缓解,为设备安装提供了更充裕的空间。

2.存储器长期协议(LTA)带来的高能见度。存储芯片(886042)厂商与下游客户签订的长期供应协议,为资本支出决策提供了前所未有的确定性,使得设备采购计划能够提前锁定。

3.关键技术转折点推高每片晶圆的WFE强度。在存储器和逻辑器件的周期(883436)性升级中,先进制程对设备的需求密度持续攀升。

美银还指出,英特尔(INTC)和三星在先进晶圆代工与逻辑器件产能上的进展,以及Terafab项目的潜在贡献,均为行业注入了强心针。

值得注意的是,美银并非唯一看好WFE前景的投行。摩根大通(JPM)此前已将2026年全球WFE增长预测从21%上调至28%,预计2027年进一步增长29%,2028年仍将保持16%的增长。富国银行(WFC)也同步上调了2027年和2028年的WFE预测。

美银在此次报告中还将半导体(881121)市场的总潜在规模(TAM)预期从此前的2.3万亿美元大幅上调至2.7万亿美元,意味着2025年至2030年间行业复合年增长率将达到28%。

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