美股存储芯片盘前大涨,美光业绩炸裂狂飙超18%,闪迪涨12%,希捷科技涨近9%

2026-06-25 16:21:15
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AIME

问财摘要

1、美光科技公布了一份历史性财报,打消了市场对人工智能需求放缓和盈利接近峰值的担忧。该季度内,美光实现营收414.6亿美元,同比大幅增长346%;毛利率达到惊人的84.9%,均高于市场预期。同时,美光科技给出的第四财季业绩指引也大超市场预期。 2、受此消息影响,6月25日,美股芯片存储板块盘前大涨,截至16:00,美光科技涨超18%,闪迪涨12%,西部数据涨近12%,希捷科技涨近9%。同日,A股半导体、元件、高带宽内存、存储芯片等板块概念延续涨势。
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美光科技(MU)甩出一份历史性财报,打消了市场对人工智能(885728)需求放缓和盈利接近峰值的担忧。

美国当地时间6月24日盘后,美光公布了截至2026年5月28日的2026财年第三财季(2026年3月到2026年5月)业绩单。

该季度内,美光实现营收414.6亿美元,同比大幅增长346%;毛利率达到惊人的84.9%,均高于市场预期。同时,美光科技(MU)给出的第四财季业绩指引也大超市场预期。

受此消息影响,6月25日,美股芯片存储板块盘前大涨,截至16:00,美光科技(MU)涨超18%,闪迪(SNDK)涨12%,西部数据(WDC)涨近12%,希捷科技(STX)涨近9%。

同日,A股半导体(881121)元件(881270)、高带宽内存、存储芯片(886042)等板块概念延续涨势。

这份财报来得恰逢其时,就在财报发布前数日,科技股遭遇大范围抛售,从韩国芯片制造商蔓延至美国光纤电缆供应商,美光自身股价本周也已累跌7.5%。

美光管理层在财报会议上释放了积极信号。美光董事长、总裁兼CEO Sanjay Mehrotra表示,2027年行业存储产品供需依旧紧张,供需紧缺局面会延续至2027年之后,公司已与多家大客户签署长期战略协议,以锁定当前高价格水平。

毛利率远超英伟达

本季度最令市场震惊的数字,是美光的毛利率。

美光第三财季毛利率达到84.9%,较上季度的74.9%大幅跃升,较一年前的39%更是翻逾一倍。美光CFO Mark MUrphy在电话会上表示,第三财季毛利率较一年前翻倍有余,创下公司历史新高。

这一数字已超越美国所有主要科技公司。美光的竞争对手闪迪(SNDK)在4月底报告的毛利率为78.4%,英伟达(NVDA)最新季度毛利率为75%,Meta(META)约为81.9%,博通(AVGO)为69.5%,微软(MSFT)为67.6%,Alphabet为62.4%。

毛利率之外,美光的营收和净利润同样创下公司成立48年来的历史纪录。第三财季营收达414.6亿美元,较上季度增加逾200亿美元;净利润为282.4亿美元,较此前历史高点增长超100%。

按业务板块划分,本财季美光云存储事业部营收约为137.69亿美元,远高于去年同期的33.86亿美元,同比暴涨306.6%,环比增长77.7%,营业利润率达到78%。其核心数据中心业务部门贡献了115.24亿美元的营收,刷新纪录,同比大涨653.2%,环比增长102.6%,营业利润率为83%。

MUrphy表示,本财季,DRAM内存营收达313亿美元,再创历史新高,同比增长343%,环比提升67%,占公司总营收76%。受行业供需紧缺、高端产品结构占比提升双重利好驱动,该产品均价涨幅超60%。NAND闪存营收为99亿美元,同样刷新历史纪录,同比增长361%,环比上涨99%,占总营收的24%。受闪存供给紧张、高附加值产品占比提升带动,该产品均价涨幅达到80%中段区间。

移动与客户端事业部,本财季美光创下了115.21亿美元的营收,同比暴增253.9%,环比增长49.4%,营业利润率高达86%。汽车及嵌入式事业部则贡献了46.34亿美元的营收,同比增长311.2%,环比增长71.1%,营业利润率为75%。

在该财季中,美光采用1-beta DRAM技术打造的HBM4,已面向其头部客户平台实现大批量出货,合格样品也已交付至多家终端客户。同时,该公司基于1-gamma DRAM工艺研发的HBM4E进展顺利,预计将于2027年实现量产;基于G9闪存架构的PCIe 6.0高性能固态硬盘已进入大规模量产阶段,高容量245TB QLC固态硬盘也已启动出货。

展望2026财年第四财季,美光预计营收将达到约500亿美元,高于此前分析师平均预期的435.8亿美元;每股收益指引为30.73美元,高于华尔街预期的25.31美元;毛利率将进一步升至86%。

该公司表示,这一展望反映出内存供应紧张、价格坚挺的格局在第四财季不会改变。

A股存储芯片全线爆发

美光这份堪称封神的财报迅速点燃了A股市场。6月25日,A股存储芯片(886042)板块集体高开,半导体(881121)产业链持续走强,存储器、先进封装(886009)方向领涨。

太极实业(600667)两连板,股价续创历史新高,汇成股份(688403)涨超10%;值得一提的是,兆易创新(603986)江波龙(301308)德明利(001309)佰维存储(688525)香农芯创(300475)普冉股份(688766)等六只市值超千亿的存储龙头股集合竞价均迎来上涨,股价均创历史新高。场内ETF方面,芯片ETF广发(159801)科创芯片ETF广发(589160)最高涨超4%,科创芯片设计ETF广发(589210)盘中涨超3%。

中信建投(601066)指出,AI算力需求爆发正深刻重塑芯片设计产业格局。定制化设计加速落地,如Marvell与谷歌(GOOG)英特尔(INTC)合作开发TPU网络芯片,反映产业链灵活重构。若晶圆厂提价,将刺激下游补库,直接利好国内芯片设计厂商。在AI高景气与自出创新共振下,芯片设计环节有望迎来新一轮景气周期(883436)

国信证券(002736)表示,AI需求推升存储需求,海外原厂聚焦高附加值服务器产品,需求外溢及国产化需求打开了国内企业级市场窗口,并带来了手机品牌渗透率提升的机遇,随着产业链分工重构,国产存储厂商在上行周期(883436)中有望实现“利润增长—客户加速导入—产品结构升级”的正向循环。此外,海外厂商退出,国产利基存储厂商有望填补2D NAND和利基DRAM等市场的需求红利。当前行业景气度持续,建议关注存储模组厂商以及利基存储厂商。

东莞证券表示,随着全国一体化算力网建设持续推进,算力基础设施自主可控的重要性进一步提升。在外部环境不确定性仍存、先进芯片及关键设备材料供应受限的背景下,国产算力芯片、国产存储、半导体设备(884229)和核心材料的自主可控需求更加突出。

供需紧张或延续至2027年后

可以看到的是,面对外界对AI景气周期(883436)能否持续的疑虑,美光通过这份财报给出了最有力的回应。

美光科技(MU)管理层表示,受AI训练和推理需求持续爆发推动,整个行业的HBM供应紧张局面将持续至2027年以后,存储芯片(886042)供应紧张形势将在2028年逐步改善,同时指出,目前仍无法预判内存供给何时能够追上持续增长的市场需求。这意味着,AI基础设施建设周期(883436)可能比市场此前预计的持续更久。

Mehrotra在财报中表示,受各细分市场AI驱动的需求以及结构性供应限制的影响,预计这种供应紧张的局面将持续至2027年之后。

从供需紧张的原因看,Mehrotra表示,供给侧受限因素包括扩产周期(883436)长、技术节点带来的比特增益递减、HBM的高晶圆消耗。需求侧上,AI产业仍处发展早期,系统性能严重受限于内存容量和带宽,内存已成为客户的关键战略资产,这正是签署长期协议的根本动因。

根据行业分析,大型新工厂的产能预计要等一年左右才能逐步释放,美光更大规模的产能则要到2028年和2029年才会陆续投产。

据了解,目前美光已与主要AI客户签署长期供应协议。公司已与数据中心运营商、汽车制造商等客户签署了16项长期协议,锁定未来三至五年的销售,预计将从这16项长期协议中获得220亿美元的财务承诺。

就在财报公布前几天,美光还宣布了与AI公司Anthropic的战略协议,内容涵盖AI基础设施的架构设计协作、内存与存储产品的长期供应,以及美光在全公司范围内部署Anthropic的Claude模型。美光还参与了Anthropic的H轮融资。

这些协议的签订,将下游客户的需求直接与美光未来的供应绑定,为持续强劲的财务表现提供了可预测性。

Mehrotra表示,预计第四财季资本支出约为100亿美元,预计2026财年全年资本支出约为270亿美元。2027财年各季度的资本支出将高于2026年第四财季的水平。

目前美光正积极提升存储供给能力,其扩产项目包含美国爱达荷州ID1、ID2两座DRAM工厂,这两座工厂均在稳步施工中。其中,ID1工厂计划于2027年年中实现首批晶圆下线,ID2工厂则预计2028年末投产。同时,美国纽约首个晶圆厂集群已于今年1月正式破土动工。

关于公司的最新产品前景,美光科技(MU)透露,下一代DRAM与NAND节点的研发进展良好,预计将在2027年下半年进入量产阶段。HBM4 12层产品的量产爬坡速度目前是HBM3E 12层版本的两倍。公司已经累计实现超过10亿美元的HBM4收入。

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