IT之家7月15日消息，以色列晶圆代工企业Tower Semiconductor(高塔半导体（881121）)当地时间昨日宣布，计划在日本进行总价值约6000亿日元的产能建设投资(IT之家注：现汇率约合250.84亿元人民币)。
这笔投资瞄准硅光子、硅锗、大规模先进光学封装等光通信领域的商机。日本政府将根据《经济安全保障推进法》提供至多约1600亿日元的补助(现汇率约合66.89亿元人民币)。
Tower计划在其位于富山县鱼津市的既有晶圆厂Fab7旁再建设一座12英寸生产设施，使其硅光子学和硅锗产能提升数倍，以满足客户对新兴人工智能（885728）和数据中心应用日益增长的需求并推动下一代光连接技术的发展。
同时，Tower将把其位于新潟县妙高市的原Fab6工厂改造为12英寸硅光子产能及先进封装（886009）基地，此举将大幅提升12英寸硅光子产能预计2027Q4全面投产。
