台积电(TSM.US)涨逾6% 拟进军先进内存芯片制造

2026-11-06 23:10:03
来源:智通财经
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周五,台积电(TSM)(TSM.US)涨逾6%,报376.65美元。消息面上,据报道,两名消息人士表示,台积电(TSM)正在考虑扩展到先进内存芯片制造领域,这一举措将使全球最大的芯片制造商在AI硬件供应链中占据更大份额。台积电(TSM)(TSM.N)最近开始制定生产一种特定类型的先进内存芯片——3D DRAM的计划,响应其最大用户英伟达(NVDA)(NVDA.O)的请求。

DRAM即动态随机存取内存,在处理器使用数据时保存数据。与传统DRAM不同,传统DRAM将内存单元放在单层中,而3D DRAM则将单元垂直堆叠以容纳更多内存。内存芯片制造目前由三星电子、SK海力士(SKHY)和美光科技(MU)主导。这三家公司也在开发3D DRAM技术,展开下一代内存制造的竞争。这场由AI硬件热潮引发的内存芯片严重短缺,导致价格飙升,并促使英伟达(NVDA)和苹果(AAPL)等芯片设计公司寻找额外的供应来源。

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