近日，天岳先进发布公告称，公司与客户F签订了一份框架采购协议，约定2024年至2026年公司向合同对方销售碳化硅产品，预计含税销售三年合计金额为人民币80480万元。

　　据悉，该协议期限为合同生效日至2026年12月31日，且协议生效后次月底前，客户F向供应商支付人民币1亿元作为本协议的保证金。“由于商业保密要求，披露合同需要获得客户同意，”天岳先进相关人士表示。

　　近年来，受下游电动汽车、新能源、储能等应用领域对碳化硅器件需求爆发式增长，碳化硅半导体行业发展迅猛，作为国内碳化硅衬底龙头，天岳先进过去一年利好频传。

　　去年7月，天岳先进表示与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售价值13.93亿元的6英寸导电型碳化硅衬底产品。

　　2023年4月，天岳先进披露了公司与全球汽车电子知名企业博世集团签署了导电型碳化硅衬底的长期供应协议。博世集团对与天岳先进的合作尤为重视，出席了天岳先进上海工厂的首批产品交付仪式，并代表客户发言。

　　2023年5月，英飞凌集团公告了其与天岳先进签订了全新碳化硅半导体材料供应协议。根据该协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸导电型碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。

　　英飞凌表示，该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额，这不仅有助于保证英飞凌供应链的稳定，让其碳化硅材料供应商体系多元化，还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。

　　目前碳化硅衬底产能是制约行业发展的关键，由于技术壁垒高，国际上仍然仅少数企业能够大规模量产。天岳先进上海临港（600848）工厂已经进入产品交付阶段，这将有助于显著提升该公司6英寸导电型碳化硅衬底的产能产量。该公司表示，通过自主扩径技术制备的高品质8英寸产品，目前也已经具备产业化能力。

　　该公司上海临港工厂第一阶段30万片产能建设基础上，新的规划也已经成型。根据环评审批意见公示，天岳半导体将通过优化生产工艺、调整生产设备、原辅材料和公辅环保设施等方式，提高产品质量和产量。调整后，6英寸SiC衬底的生产规模将扩大至每年96万片。

　　此外，公司在积极布局前瞻性技术。2023年6月，公司CTO高超博士在SEMICONChina国际论坛上，公开了公司已采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。

　　业内人士认为，“作为一种有潜力的碳化硅单晶制备新技术，液相法备受关注。通过液相法获得均匀且高品质的晶体需要对温场和流场进行控制，具有较高的技术难度。”

　　随着全球能源电气化、低碳化的发展趋势，碳化硅半导体材料和器件将发挥越来越重要的作用，碳化硅半导体材料赛道愈加火热，以碳化硅为代表的第三代半导体企业将继续保持结构性高景气度。

　　国际上，英飞凌、安森美、博世集团、日本罗姆等企业都在加大对碳化硅业务的投资。天岳先进作为国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，近年来专注于产品和技术突破，通过加快产能产量提升，稳步拓展国内外优质客户，公司也将有望抓住行业爆发的发展机遇，巩固碳化硅衬底龙头地位。