英特尔：芯片互连取得突破性进展，线间电容降低25%

2024-12-12 12:32:19 来源： 同花顺7x24快讯
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　　近日，英特尔代工宣布芯片内互联技术取得重大突破，通过公司最新的减成法钌互连技术(subtractive Ruthenium)最高可将线间电容降低25%，有效改善了芯片内互连。据介绍，减成法钌互连技术通过采用钌这一新型、关键、替代性的金属化材料，利用薄膜电阻率(thin film resistivity)和空气间隙(airgap)，实现了在互连微缩方面的重大进步。该工艺无需通孔周围昂贵的光刻空气间隙区域(lithographic airgap exclusion zone)，也可以避免使用选择性蚀刻的自对准通孔(self-aligned via)。在间距小于或等于25纳米时，采用减成法钌互连技术实现的空气间隙使线间电容最高降低25%，可作为一种金属化方案在紧密间距层中替代铜镶嵌工艺。据悉，这一解决方案有望在英特尔代工的未来制程节点中得以应用。(新浪科技)

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